تصویر فقط برای مرجع است ، مشخصات محصول را ببینید

NSVMMUN2212LT1G

سازندگان:	ON Semiconductor
دسته بندی محصولات:	Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased
برگه داده ها:	NSVMMUN2212LT1G
توضیحات:	TRANS PREBIAS NPN 0.246W SOT23
وضعیت RoHS:	سازگار با RoHS

ویژگی	مقدار مشخصه
تولید کننده	ON Semiconductor
دسته بندی محصولات	Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased
سری	-
بسته بندی	Digi-Reel®
قسمت وضعیت	Active
قدرت حداکثر	246mW
نوع نصب	Surface Mount
بسته بندی/مورد	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
نوع ترانزیستور	NPN - Pre-Biased
مقاومت پایه (R1)	22 kOhms
بسته بندی دستگاه تامین کننده	SOT-23-3 (TO-236)
مقاومت-پایه امیتر (R2)	22 kOhms
اشباع vce (حداکثر) @ Ib ، Ic	250mV @ 300µA, 10mA
جریان-کلکتور (آیسی) (حداکثر)	100mA
جریان-برش گردآورنده (حداکثر)	500nA
DC به دست آوردن جریان (hFE) (حداقل) @ Ic ، Vce	60 @ 5mA, 10V
ولتاژ جمع آوری تجزیه امیتر (حداکثر)	50V