تصویر فقط برای مرجع است ، مشخصات محصول را ببینید

NSBC115EDXV6T1G

سازندگان:	ON Semiconductor
دسته بندی محصولات:	Transistors - Bipolar (BJT) - Arrays, Pre-Biased
برگه داده ها:	NSBC115EDXV6T1G
توضیحات:	TRANS 2NPN PREBIAS 0.5W SOT563
وضعیت RoHS:	سازگار با RoHS

ویژگی	مقدار مشخصه
تولید کننده	ON Semiconductor
دسته بندی محصولات	Transistors - Bipolar (BJT) - Arrays, Pre-Biased
سری	-
بسته بندی	Cut Tape (CT)
قسمت وضعیت	Active
قدرت حداکثر	500mW
نوع نصب	Surface Mount
بسته بندی/مورد	SOT-563, SOT-666
نوع ترانزیستور	2 NPN - Pre-Biased (Dual)
شماره قسمت پایه	NSBC1*
مقاومت پایه (R1)	100kOhms
انتقال فرکانس	-
بسته بندی دستگاه تامین کننده	SOT-563
مقاومت-پایه امیتر (R2)	100kOhms
اشباع vce (حداکثر) @ Ib ، Ic	250mV @ 300µA, 10mA
جریان-کلکتور (آیسی) (حداکثر)	100mA
جریان-برش گردآورنده (حداکثر)	500nA
DC به دست آوردن جریان (hFE) (حداقل) @ Ic ، Vce	80 @ 5mA, 10V
ولتاژ جمع آوری تجزیه امیتر (حداکثر)	50V