تصویر فقط برای مرجع است ، مشخصات محصول را ببینید

NJVNJD35N04G

سازندگان:	ON Semiconductor
دسته بندی محصولات:	Transistors - Bipolar (BJT) - Single
برگه داده ها:	NJVNJD35N04G
توضیحات:	TRANS NPN DARL 350V 4A DPAK-4
وضعیت RoHS:	سازگار با RoHS

ویژگی	مقدار مشخصه
تولید کننده	ON Semiconductor
دسته بندی محصولات	Transistors - Bipolar (BJT) - Single
سری	-
بسته بندی	Tube
قسمت وضعیت	Active
قدرت حداکثر	45W
نوع نصب	Surface Mount
بسته بندی/مورد	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
نوع ترانزیستور	NPN - Darlington
شماره قسمت پایه	NJD35N04
دمای عملیاتی	-65°C ~ 150°C (TJ)
انتقال فرکانس	90MHz
بسته بندی دستگاه تامین کننده	DPAK
اشباع vce (حداکثر) @ Ib ، Ic	1.5V @ 20mA, 2A
جریان-کلکتور (آیسی) (حداکثر)	4A
جریان-برش گردآورنده (حداکثر)	50µA
DC به دست آوردن جریان (hFE) (حداقل) @ Ic ، Vce	2000 @ 2A, 2V
ولتاژ جمع آوری تجزیه امیتر (حداکثر)	350V