Image is for reference only , details as Specifications

NJVMJD112G

سازندگان:	ON Semiconductor
دسته بندی محصولات:	Transistors - Bipolar (BJT) - Single
برگه داده ها:	NJVMJD112G
توضیحات:	TRANS NPN DARL 100V 2A DPAK-4
وضعیت RoHS:	سازگار با RoHS

ویژگی	مقدار مشخصه
تولید کننده	ON Semiconductor
دسته بندی محصولات	Transistors - Bipolar (BJT) - Single
سری	-
بسته بندی	Tube
قسمت وضعیت	Active
قدرت حداکثر	1.75W
نوع نصب	Surface Mount
بسته بندی/مورد	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
نوع ترانزیستور	NPN - Darlington
دمای عملیاتی	-65°C ~ 150°C (TJ)
انتقال فرکانس	25MHz
بسته بندی دستگاه تامین کننده	DPAK
اشباع vce (حداکثر) @ Ib ، Ic	3V @ 40mA, 4A
جریان-کلکتور (آیسی) (حداکثر)	2A
جریان-برش گردآورنده (حداکثر)	20µA
DC به دست آوردن جریان (hFE) (حداقل) @ Ic ، Vce	1000 @ 2A, 3V
ولتاژ جمع آوری تجزیه امیتر (حداکثر)	100V