تصویر فقط برای مرجع است ، مشخصات محصول را ببینید

MUN5111DW1T1G

سازندگان:	ON Semiconductor
دسته بندی محصولات:	Transistors - Bipolar (BJT) - Arrays, Pre-Biased
برگه داده ها:	MUN5111DW1T1G
توضیحات:	TRANS 2PNP PREBIAS 0.25W SOT363
وضعیت RoHS:	سازگار با RoHS

ویژگی	مقدار مشخصه
تولید کننده	ON Semiconductor
دسته بندی محصولات	Transistors - Bipolar (BJT) - Arrays, Pre-Biased
سری	-
بسته بندی	Digi-Reel®
قسمت وضعیت	Active
قدرت حداکثر	250mW
نوع نصب	Surface Mount
بسته بندی/مورد	6-TSSOP, SC-88, SOT-363
نوع ترانزیستور	2 PNP - Pre-Biased (Dual)
شماره قسمت پایه	MUN51**DW1T
مقاومت پایه (R1)	10kOhms
انتقال فرکانس	-
بسته بندی دستگاه تامین کننده	SC-88/SC70-6/SOT-363
مقاومت-پایه امیتر (R2)	10kOhms
اشباع vce (حداکثر) @ Ib ، Ic	250mV @ 300µA, 10mA
جریان-کلکتور (آیسی) (حداکثر)	100mA
جریان-برش گردآورنده (حداکثر)	500nA
DC به دست آوردن جریان (hFE) (حداقل) @ Ic ، Vce	35 @ 5mA, 10V
ولتاژ جمع آوری تجزیه امیتر (حداکثر)	50V