Image is for reference only , details as Specifications

MJD122G

سازندگان:	ON Semiconductor
دسته بندی محصولات:	Transistors - Bipolar (BJT) - Single
برگه داده ها:	MJD122G
توضیحات:	TRANS NPN DARL 100V 8A DPAK
وضعیت RoHS:	سازگار با RoHS

ویژگی	مقدار مشخصه
تولید کننده	ON Semiconductor
دسته بندی محصولات	Transistors - Bipolar (BJT) - Single
سری	-
بسته بندی	Tube
قسمت وضعیت	Active
قدرت حداکثر	1.75W
نوع نصب	Surface Mount
بسته بندی/مورد	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
نوع ترانزیستور	NPN - Darlington
شماره قسمت پایه	MJD122
دمای عملیاتی	-65°C ~ 150°C (TJ)
انتقال فرکانس	4MHz
بسته بندی دستگاه تامین کننده	DPAK
اشباع vce (حداکثر) @ Ib ، Ic	4V @ 80mA, 8A
جریان-کلکتور (آیسی) (حداکثر)	8A
جریان-برش گردآورنده (حداکثر)	10µA
DC به دست آوردن جریان (hFE) (حداقل) @ Ic ، Vce	1000 @ 4A, 4V
ولتاژ جمع آوری تجزیه امیتر (حداکثر)	100V