Image is for reference only , details as Specifications

MJD112-1G

سازندگان:	ON Semiconductor
دسته بندی محصولات:	Transistors - Bipolar (BJT) - Single
برگه داده ها:	MJD112-1G
توضیحات:	TRANS NPN DARL 100V 2A IPAK
وضعیت RoHS:	سازگار با RoHS

ویژگی	مقدار مشخصه
تولید کننده	ON Semiconductor
دسته بندی محصولات	Transistors - Bipolar (BJT) - Single
سری	-
بسته بندی	Tube
قسمت وضعیت	Active
قدرت حداکثر	1.75W
نوع نصب	Through Hole
بسته بندی/مورد	TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
نوع ترانزیستور	NPN - Darlington
شماره قسمت پایه	MJD112
دمای عملیاتی	-65°C ~ 150°C (TJ)
انتقال فرکانس	25MHz
بسته بندی دستگاه تامین کننده	I-PAK
اشباع vce (حداکثر) @ Ib ، Ic	3V @ 40mA, 4A
جریان-کلکتور (آیسی) (حداکثر)	2A
جریان-برش گردآورنده (حداکثر)	20µA
DC به دست آوردن جریان (hFE) (حداقل) @ Ic ، Vce	1000 @ 2A, 3V
ولتاژ جمع آوری تجزیه امیتر (حداکثر)	100V