Image is for reference only , details as Specifications

FJV3112RMTF

سازندگان:	ON Semiconductor
دسته بندی محصولات:	Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased
برگه داده ها:	FJV3112RMTF
توضیحات:	TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT23-3
وضعیت RoHS:	سازگار با RoHS

ویژگی	مقدار مشخصه
تولید کننده	ON Semiconductor
دسته بندی محصولات	Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased
سری	-
بسته بندی	Tape & Reel (TR)
قسمت وضعیت	Obsolete
قدرت حداکثر	200mW
نوع نصب	Surface Mount
بسته بندی/مورد	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
نوع ترانزیستور	NPN - Pre-Biased
مقاومت پایه (R1)	47 kOhms
انتقال فرکانس	250MHz
بسته بندی دستگاه تامین کننده	SOT-23-3 (TO-236)
اشباع vce (حداکثر) @ Ib ، Ic	300mV @ 1mA, 10mA
جریان-کلکتور (آیسی) (حداکثر)	100mA
جریان-برش گردآورنده (حداکثر)	100nA (ICBO)
DC به دست آوردن جریان (hFE) (حداقل) @ Ic ، Vce	100 @ 1mA, 5V
ولتاژ جمع آوری تجزیه امیتر (حداکثر)	40V