تصویر فقط برای مرجع است ، مشخصات محصول را ببینید

PHD9NQ20T,118

سازندگان:	Nexperia USA Inc.
دسته بندی محصولات:	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
برگه داده ها:	PHD9NQ20T,118
توضیحات:	MOSFET N-CH 200V 8.7A DPAK
وضعیت RoHS:	سازگار با RoHS

ویژگی	مقدار مشخصه
تولید کننده	Nexperia USA Inc.
دسته بندی محصولات	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
سری	TrenchMOS™
نوع FET	N-Channel
بسته بندی	Tape & Reel (TR)
Vgs (حداکثر)	±30V
فن آوری	MOSFET (Metal Oxide)
ویژگی های FET	-
قسمت وضعیت	Active
نوع نصب	Surface Mount
بسته بندی/مورد	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Vgs (هفتم) (حداکثر) @ شناسه	4V @ 1mA
دمای عملیاتی	-55°C ~ 175°C (TJ)
Rds در (حداکثر) @ Id ، Vgs	400mOhm @ 4.5A, 10V
استهلاک قدرت (حداکثر)	88W (Tc)
بسته بندی دستگاه تامین کننده	DPAK
شارژ دروازه (Qg) (حداکثر) @ Vgs	24nC @ 10V
تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss)	200V
ظرفیت ورودی (Ciss) (حداکثر) @ Vds	959pF @ 25V
جریان-تخلیه مداوم (شناسه) @ 25 ° c	8.7A (Tc)
ولتاژ درایو (حداکثر Rds در ، حداقل Rds در تاریخ)	10V