تصویر فقط برای مرجع است ، مشخصات محصول را ببینید

SPB18P06PGATMA1

سازندگان:	Infineon Technologies
دسته بندی محصولات:	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
برگه داده ها:	SPB18P06PGATMA1
توضیحات:	MOSFET P-CH 60V 18.7A TO-263
وضعیت RoHS:	سازگار با RoHS

ویژگی	مقدار مشخصه
تولید کننده	Infineon Technologies
دسته بندی محصولات	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
سری	SIPMOS®
نوع FET	P-Channel
بسته بندی	Digi-Reel®
Vgs (حداکثر)	±20V
فن آوری	MOSFET (Metal Oxide)
ویژگی های FET	-
قسمت وضعیت	Active
نوع نصب	Surface Mount
بسته بندی/مورد	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Vgs (هفتم) (حداکثر) @ شناسه	4V @ 1mA
دمای عملیاتی	-55°C ~ 175°C (TJ)
Rds در (حداکثر) @ Id ، Vgs	130mOhm @ 13.2A, 10V
استهلاک قدرت (حداکثر)	81.1W (Ta)
بسته بندی دستگاه تامین کننده	D²PAK (TO-263AB)
شارژ دروازه (Qg) (حداکثر) @ Vgs	28nC @ 10V
تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss)	60V
ظرفیت ورودی (Ciss) (حداکثر) @ Vds	860pF @ 25V
جریان-تخلیه مداوم (شناسه) @ 25 ° c	18.7A (Ta)
ولتاژ درایو (حداکثر Rds در ، حداقل Rds در تاریخ)	10V