تصویر فقط برای مرجع است ، مشخصات محصول را ببینید

ISP12DP06NMXTSA1

سازندگان:	Infineon Technologies
دسته بندی محصولات:	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
برگه داده ها:	ISP12DP06NMXTSA1
توضیحات:	MOSFET P-CH 60V SOT223-4
وضعیت RoHS:	سازگار با RoHS

ویژگی	مقدار مشخصه
تولید کننده	Infineon Technologies
دسته بندی محصولات	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
سری	OptiMOS™
نوع FET	P-Channel
Vgs (حداکثر)	±20V
فن آوری	MOSFET (Metal Oxide)
ویژگی های FET	-
قسمت وضعیت	Active
نوع نصب	Surface Mount
بسته بندی/مورد	TO-261-4, TO-261AA
Vgs (هفتم) (حداکثر) @ شناسه	4V @ 520µA
دمای عملیاتی	-55°C ~ 150°C (TJ)
Rds در (حداکثر) @ Id ، Vgs	125mOhm @ 2.8A, 10V
استهلاک قدرت (حداکثر)	1.8W (Ta), 4.2W (Tc)
بسته بندی دستگاه تامین کننده	PG-SOT223-4
شارژ دروازه (Qg) (حداکثر) @ Vgs	20.2nC @ 10V
تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss)	60V
ظرفیت ورودی (Ciss) (حداکثر) @ Vds	790pF @ 30V
جریان-تخلیه مداوم (شناسه) @ 25 ° c	2.8A (Ta)
ولتاژ درایو (حداکثر Rds در ، حداقل Rds در تاریخ)	10V