تصویر فقط برای مرجع است ، مشخصات محصول را ببینید

IRLHM630TR2PBF

سازندگان:	Infineon Technologies
دسته بندی محصولات:	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
برگه داده ها:	IRLHM630TR2PBF
توضیحات:	MOSFET N-CH 30V 21A PQFN
وضعیت RoHS:	سازگار با RoHS

ویژگی	مقدار مشخصه
تولید کننده	Infineon Technologies
دسته بندی محصولات	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
سری	HEXFET®
نوع FET	N-Channel
بسته بندی	Digi-Reel®
Vgs (حداکثر)	±12V
فن آوری	MOSFET (Metal Oxide)
ویژگی های FET	-
قسمت وضعیت	Obsolete
نوع نصب	Surface Mount
بسته بندی/مورد	8-VQFN Exposed Pad
Vgs (هفتم) (حداکثر) @ شناسه	1.1V @ 50µA
دمای عملیاتی	-55°C ~ 150°C (TJ)
Rds در (حداکثر) @ Id ، Vgs	3.5mOhm @ 20A, 4.5V
استهلاک قدرت (حداکثر)	2.7W (Ta), 37W (Tc)
بسته بندی دستگاه تامین کننده	PQFN (3x3)
شارژ دروازه (Qg) (حداکثر) @ Vgs	62nC @ 4.5V
تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss)	30V
ظرفیت ورودی (Ciss) (حداکثر) @ Vds	3170pF @ 25V
جریان-تخلیه مداوم (شناسه) @ 25 ° c	21A (Ta), 40A (Tc)
ولتاژ درایو (حداکثر Rds در ، حداقل Rds در تاریخ)	2.5V, 10V