تصویر فقط برای مرجع است ، مشخصات محصول را ببینید

IRFH5302DTRPBF

سازندگان:	Infineon Technologies
دسته بندی محصولات:	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
برگه داده ها:	IRFH5302DTRPBF
توضیحات:	MOSFET N-CH 30V 29A 8VQFN
وضعیت RoHS:	سازگار با RoHS

ویژگی	مقدار مشخصه
تولید کننده	Infineon Technologies
دسته بندی محصولات	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
سری	HEXFET®
نوع FET	N-Channel
بسته بندی	Tape & Reel (TR)
Vgs (حداکثر)	±20V
فن آوری	MOSFET (Metal Oxide)
ویژگی های FET	-
قسمت وضعیت	Active
نوع نصب	Surface Mount
بسته بندی/مورد	8-PowerVDFN
Vgs (هفتم) (حداکثر) @ شناسه	2.35V @ 100µA
دمای عملیاتی	-55°C ~ 150°C (TJ)
Rds در (حداکثر) @ Id ، Vgs	2.5mOhm @ 50A, 10V
استهلاک قدرت (حداکثر)	3.6W (Ta), 104W (Tc)
بسته بندی دستگاه تامین کننده	PQFN (5x6) Single Die
شارژ دروازه (Qg) (حداکثر) @ Vgs	55nC @ 10V
تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss)	30V
ظرفیت ورودی (Ciss) (حداکثر) @ Vds	3635pF @ 25V
جریان-تخلیه مداوم (شناسه) @ 25 ° c	29A (Ta), 100A (Tc)
ولتاژ درایو (حداکثر Rds در ، حداقل Rds در تاریخ)	4.5V, 10V