تصویر فقط برای مرجع است ، مشخصات محصول را ببینید

IRFB59N10DPBF

سازندگان:	Infineon Technologies
دسته بندی محصولات:	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
برگه داده ها:	IRFB59N10DPBF
توضیحات:	MOSFET N-CH 100V 59A TO-220AB
وضعیت RoHS:	سازگار با RoHS

ویژگی	مقدار مشخصه
تولید کننده	Infineon Technologies
دسته بندی محصولات	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
سری	HEXFET®
نوع FET	N-Channel
بسته بندی	Tube
Vgs (حداکثر)	±30V
فن آوری	MOSFET (Metal Oxide)
ویژگی های FET	-
قسمت وضعیت	Active
نوع نصب	Through Hole
بسته بندی/مورد	TO-220-3
Vgs (هفتم) (حداکثر) @ شناسه	5.5V @ 250µA
دمای عملیاتی	-55°C ~ 175°C (TJ)
Rds در (حداکثر) @ Id ، Vgs	25mOhm @ 35.4A, 10V
استهلاک قدرت (حداکثر)	3.8W (Ta), 200W (Tc)
بسته بندی دستگاه تامین کننده	TO-220AB
شارژ دروازه (Qg) (حداکثر) @ Vgs	114nC @ 10V
تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss)	100V
ظرفیت ورودی (Ciss) (حداکثر) @ Vds	2450pF @ 25V
جریان-تخلیه مداوم (شناسه) @ 25 ° c	59A (Tc)
ولتاژ درایو (حداکثر Rds در ، حداقل Rds در تاریخ)	10V