تصویر فقط برای مرجع است ، مشخصات محصول را ببینید

IRF8513PBF

سازندگان:	Infineon Technologies
دسته بندی محصولات:	Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
برگه داده ها:	IRF8513PBF
توضیحات:	MOSFET 2N-CH 30V 8A/11A 8-SOIC
وضعیت RoHS:	سازگار با RoHS

ویژگی	مقدار مشخصه
تولید کننده	Infineon Technologies
دسته بندی محصولات	Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
سری	-
نوع FET	2 N-Channel (Dual)
بسته بندی	Tube
ویژگی های FET	Logic Level Gate
قسمت وضعیت	Obsolete
قدرت حداکثر	1.5W, 2.4W
نوع نصب	Surface Mount
بسته بندی/مورد	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
شماره قسمت پایه	IRF8513PBF
Vgs (هفتم) (حداکثر) @ شناسه	2.35V @ 25µA
دمای عملیاتی	-55°C ~ 175°C (TJ)
Rds در (حداکثر) @ Id ، Vgs	15.5mOhm @ 8A, 10V
بسته بندی دستگاه تامین کننده	8-SO
شارژ دروازه (Qg) (حداکثر) @ Vgs	8.6nC @ 4.5V
تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss)	30V
ظرفیت ورودی (Ciss) (حداکثر) @ Vds	766pF @ 15V
جریان-تخلیه مداوم (شناسه) @ 25 ° c	8A, 11A