Image is for reference only , details as Specifications

IRF8113GPBF

سازندگان:	Infineon Technologies
دسته بندی محصولات:	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
برگه داده ها:	IRF8113GPBF
توضیحات:	MOSFET N-CH 30V 17.2A 8-SO
وضعیت RoHS:	سازگار با RoHS

ویژگی	مقدار مشخصه
تولید کننده	Infineon Technologies
دسته بندی محصولات	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
سری	HEXFET®
نوع FET	N-Channel
بسته بندی	Tube
Vgs (حداکثر)	±20V
فن آوری	MOSFET (Metal Oxide)
ویژگی های FET	-
قسمت وضعیت	Obsolete
نوع نصب	Surface Mount
بسته بندی/مورد	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Vgs (هفتم) (حداکثر) @ شناسه	2.2V @ 250µA
دمای عملیاتی	-55°C ~ 150°C (TJ)
Rds در (حداکثر) @ Id ، Vgs	5.6mOhm @ 17.2A, 10V
استهلاک قدرت (حداکثر)	2.5W (Ta)
بسته بندی دستگاه تامین کننده	8-SO
شارژ دروازه (Qg) (حداکثر) @ Vgs	36nC @ 4.5V
تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss)	30V
ظرفیت ورودی (Ciss) (حداکثر) @ Vds	2910pF @ 15V
جریان-تخلیه مداوم (شناسه) @ 25 ° c	17.2A (Ta)
ولتاژ درایو (حداکثر Rds در ، حداقل Rds در تاریخ)	4.5V, 10V