تصویر فقط برای مرجع است ، مشخصات محصول را ببینید

IRF7779L2TRPBF

سازندگان:	Infineon Technologies
دسته بندی محصولات:	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
برگه داده ها:	IRF7779L2TRPBF
توضیحات:	MOSFET N-CH 150V DIRECTFET L8
وضعیت RoHS:	سازگار با RoHS

ویژگی	مقدار مشخصه
تولید کننده	Infineon Technologies
دسته بندی محصولات	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
سری	HEXFET®
نوع FET	N-Channel
بسته بندی	Digi-Reel®
Vgs (حداکثر)	±20V
فن آوری	MOSFET (Metal Oxide)
ویژگی های FET	-
قسمت وضعیت	Active
نوع نصب	Surface Mount
بسته بندی/مورد	DirectFET™ Isometric L8
Vgs (هفتم) (حداکثر) @ شناسه	5V @ 250µA
دمای عملیاتی	-55°C ~ 175°C (TJ)
Rds در (حداکثر) @ Id ، Vgs	11mOhm @ 40A, 10V
استهلاک قدرت (حداکثر)	3.3W (Ta), 125W (Tc)
بسته بندی دستگاه تامین کننده	DIRECTFET L8
شارژ دروازه (Qg) (حداکثر) @ Vgs	150nC @ 10V
تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss)	150V
ظرفیت ورودی (Ciss) (حداکثر) @ Vds	6660pF @ 25V
جریان-تخلیه مداوم (شناسه) @ 25 ° c	375A (Tc)
ولتاژ درایو (حداکثر Rds در ، حداقل Rds در تاریخ)	10V