تصویر فقط برای مرجع است ، مشخصات محصول را ببینید

IRF6709S2TR1PBF

سازندگان:	Infineon Technologies
دسته بندی محصولات:	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
برگه داده ها:	IRF6709S2TR1PBF
توضیحات:	MOSFET N-CH 25V 12A DIRECTFET-S1
وضعیت RoHS:	سازگار با RoHS

ویژگی	مقدار مشخصه
تولید کننده	Infineon Technologies
دسته بندی محصولات	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
سری	HEXFET®
نوع FET	N-Channel
بسته بندی	Digi-Reel®
Vgs (حداکثر)	±20V
فن آوری	MOSFET (Metal Oxide)
ویژگی های FET	-
قسمت وضعیت	Obsolete
نوع نصب	Surface Mount
بسته بندی/مورد	DirectFET™ Isometric S1
Vgs (هفتم) (حداکثر) @ شناسه	2.35V @ 25µA
دمای عملیاتی	-55°C ~ 175°C (TJ)
Rds در (حداکثر) @ Id ، Vgs	7.8mOhm @ 12A, 10V
استهلاک قدرت (حداکثر)	1.8W (Ta), 21W (Tc)
بسته بندی دستگاه تامین کننده	DIRECTFET S1
شارژ دروازه (Qg) (حداکثر) @ Vgs	12nC @ 4.5V
تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss)	25V
ظرفیت ورودی (Ciss) (حداکثر) @ Vds	1010pF @ 13V
جریان-تخلیه مداوم (شناسه) @ 25 ° c	12A (Ta), 39A (Tc)
ولتاژ درایو (حداکثر Rds در ، حداقل Rds در تاریخ)	4.5V, 10V