Image is for reference only , details as Specifications

IRF630NLPBF

سازندگان:	Infineon Technologies
دسته بندی محصولات:	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
برگه داده ها:	IRF630NLPBF
توضیحات:	MOSFET N-CH 200V 9.3A TO-262
وضعیت RoHS:	سازگار با RoHS

ویژگی	مقدار مشخصه
تولید کننده	Infineon Technologies
دسته بندی محصولات	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
سری	HEXFET®
نوع FET	N-Channel
بسته بندی	Tube
Vgs (حداکثر)	±20V
فن آوری	MOSFET (Metal Oxide)
ویژگی های FET	-
قسمت وضعیت	Obsolete
نوع نصب	Through Hole
بسته بندی/مورد	TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Vgs (هفتم) (حداکثر) @ شناسه	4V @ 250µA
دمای عملیاتی	-55°C ~ 175°C (TJ)
Rds در (حداکثر) @ Id ، Vgs	300mOhm @ 5.4A, 10V
استهلاک قدرت (حداکثر)	82W (Tc)
بسته بندی دستگاه تامین کننده	TO-262
شارژ دروازه (Qg) (حداکثر) @ Vgs	35nC @ 10V
تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss)	200V
ظرفیت ورودی (Ciss) (حداکثر) @ Vds	575pF @ 25V
جریان-تخلیه مداوم (شناسه) @ 25 ° c	9.3A (Tc)
ولتاژ درایو (حداکثر Rds در ، حداقل Rds در تاریخ)	10V