تصویر فقط برای مرجع است ، مشخصات محصول را ببینید

IRF5803D2PBF

سازندگان:	Infineon Technologies
دسته بندی محصولات:	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
برگه داده ها:	IRF5803D2PBF
توضیحات:	MOSFET P-CH 40V 3.4A 8-SOIC
وضعیت RoHS:	سازگار با RoHS

ویژگی	مقدار مشخصه
تولید کننده	Infineon Technologies
دسته بندی محصولات	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
سری	FETKY™
نوع FET	P-Channel
بسته بندی	Tube
Vgs (حداکثر)	±20V
فن آوری	MOSFET (Metal Oxide)
ویژگی های FET	Schottky Diode (Isolated)
قسمت وضعیت	Obsolete
نوع نصب	Surface Mount
بسته بندی/مورد	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Vgs (هفتم) (حداکثر) @ شناسه	3V @ 250µA
دمای عملیاتی	-55°C ~ 150°C (TJ)
Rds در (حداکثر) @ Id ، Vgs	112mOhm @ 3.4A, 10V
استهلاک قدرت (حداکثر)	2W (Ta)
بسته بندی دستگاه تامین کننده	8-SO
شارژ دروازه (Qg) (حداکثر) @ Vgs	37nC @ 10V
تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss)	40V
ظرفیت ورودی (Ciss) (حداکثر) @ Vds	1110pF @ 25V
جریان-تخلیه مداوم (شناسه) @ 25 ° c	3.4A (Ta)
ولتاژ درایو (حداکثر Rds در ، حداقل Rds در تاریخ)	4.5V, 10V