تصویر فقط برای مرجع است ، مشخصات محصول را ببینید

IPI084N06L3GXKSA1

سازندگان:	Infineon Technologies
دسته بندی محصولات:	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
برگه داده ها:	IPI084N06L3GXKSA1
توضیحات:	MOSFET N-CH TO262-3
وضعیت RoHS:	سازگار با RoHS

ویژگی	مقدار مشخصه
تولید کننده	Infineon Technologies
دسته بندی محصولات	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
سری	OptiMOS™
نوع FET	N-Channel
بسته بندی	Tube
Vgs (حداکثر)	±20V
فن آوری	MOSFET (Metal Oxide)
ویژگی های FET	-
قسمت وضعیت	Last Time Buy
نوع نصب	Through Hole
بسته بندی/مورد	TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Vgs (هفتم) (حداکثر) @ شناسه	2.2V @ 34µA
دمای عملیاتی	-55°C ~ 175°C (TJ)
Rds در (حداکثر) @ Id ، Vgs	8.4mOhm @ 50A, 10V
استهلاک قدرت (حداکثر)	79W (Tc)
بسته بندی دستگاه تامین کننده	PG-TO262-3-1
شارژ دروازه (Qg) (حداکثر) @ Vgs	29nC @ 4.5V
تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss)	60V
ظرفیت ورودی (Ciss) (حداکثر) @ Vds	4900pF @ 30V
جریان-تخلیه مداوم (شناسه) @ 25 ° c	50A (Tc)
ولتاژ درایو (حداکثر Rds در ، حداقل Rds در تاریخ)	4.5V, 10V