Image is for reference only , details as Specifications
IPI052NE7N3 G
| سازندگان: | Infineon Technologies |
|---|---|
| دسته بندی محصولات: | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
| برگه داده ها: | IPI052NE7N3 G |
| توضیحات: | MOSFET N-CH 75V 80A TO262-3 |
| وضعیت RoHS: | سازگار با RoHS |
| ویژگی | مقدار مشخصه |
|---|---|
| تولید کننده | Infineon Technologies |
| دسته بندی محصولات | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
| سری | OptiMOS™ |
| نوع FET | N-Channel |
| بسته بندی | Tube |
| Vgs (حداکثر) | ±20V |
| فن آوری | MOSFET (Metal Oxide) |
| ویژگی های FET | - |
| قسمت وضعیت | Obsolete |
| نوع نصب | Through Hole |
| بسته بندی/مورد | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
| Vgs (هفتم) (حداکثر) @ شناسه | 3.8V @ 91µA |
| دمای عملیاتی | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Rds در (حداکثر) @ Id ، Vgs | 5.2mOhm @ 80A, 10V |
| استهلاک قدرت (حداکثر) | 150W (Tc) |
| بسته بندی دستگاه تامین کننده | PG-TO262-3 |
| شارژ دروازه (Qg) (حداکثر) @ Vgs | 68nC @ 10V |
| تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss) | 75V |
| ظرفیت ورودی (Ciss) (حداکثر) @ Vds | 4750pF @ 37.5V |
| جریان-تخلیه مداوم (شناسه) @ 25 ° c | 80A (Tc) |
| ولتاژ درایو (حداکثر Rds در ، حداقل Rds در تاریخ) | 10V |
در انبار 80 pcs
| قیمت مرجع ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
|---|---|---|---|
| $0.00 | $0.00 | $0.00 |
حداقل: 1
درخواست نقل قول
فرم زیر را پر کنید و ما در اسرع وقت با شما تماس خواهیم گرفت
Bargain Finds
