تصویر فقط برای مرجع است ، مشخصات محصول را ببینید

IPDD60R190G7XTMA1

سازندگان:	Infineon Technologies
دسته بندی محصولات:	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
برگه داده ها:	IPDD60R190G7XTMA1
توضیحات:	MOSFET NCH 650V 36A PG-HDSOP-10
وضعیت RoHS:	سازگار با RoHS

ویژگی	مقدار مشخصه
تولید کننده	Infineon Technologies
دسته بندی محصولات	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
سری	CoolMOS™ G7
نوع FET	N-Channel
بسته بندی	Cut Tape (CT)
Vgs (حداکثر)	±20V
فن آوری	MOSFET (Metal Oxide)
ویژگی های FET	-
قسمت وضعیت	Active
نوع نصب	Surface Mount
بسته بندی/مورد	10-PowerSOP Module
Vgs (هفتم) (حداکثر) @ شناسه	4V @ 210µA
دمای عملیاتی	-55°C ~ 150°C (TJ)
Rds در (حداکثر) @ Id ، Vgs	190mOhm @ 4.2A, 10V
استهلاک قدرت (حداکثر)	76W (Tc)
بسته بندی دستگاه تامین کننده	PG-HDSOP-10-1
شارژ دروازه (Qg) (حداکثر) @ Vgs	18nC @ 10V
تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss)	600V
ظرفیت ورودی (Ciss) (حداکثر) @ Vds	718pF @ 400V
جریان-تخلیه مداوم (شناسه) @ 25 ° c	13A (Tc)
ولتاژ درایو (حداکثر Rds در ، حداقل Rds در تاریخ)	10V