Image is for reference only , details as Specifications
IPDD60R190G7XTMA1
| سازندگان: | Infineon Technologies |
|---|---|
| دسته بندی محصولات: | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
| برگه داده ها: | IPDD60R190G7XTMA1 |
| توضیحات: | MOSFET NCH 650V 36A PG-HDSOP-10 |
| وضعیت RoHS: | سازگار با RoHS |
| ویژگی | مقدار مشخصه |
|---|---|
| تولید کننده | Infineon Technologies |
| دسته بندی محصولات | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
| سری | CoolMOS™ G7 |
| نوع FET | N-Channel |
| بسته بندی | Cut Tape (CT) |
| Vgs (حداکثر) | ±20V |
| فن آوری | MOSFET (Metal Oxide) |
| ویژگی های FET | - |
| قسمت وضعیت | Active |
| نوع نصب | Surface Mount |
| بسته بندی/مورد | 10-PowerSOP Module |
| Vgs (هفتم) (حداکثر) @ شناسه | 4V @ 210µA |
| دمای عملیاتی | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Rds در (حداکثر) @ Id ، Vgs | 190mOhm @ 4.2A, 10V |
| استهلاک قدرت (حداکثر) | 76W (Tc) |
| بسته بندی دستگاه تامین کننده | PG-HDSOP-10-1 |
| شارژ دروازه (Qg) (حداکثر) @ Vgs | 18nC @ 10V |
| تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss) | 600V |
| ظرفیت ورودی (Ciss) (حداکثر) @ Vds | 718pF @ 400V |
| جریان-تخلیه مداوم (شناسه) @ 25 ° c | 13A (Tc) |
| ولتاژ درایو (حداکثر Rds در ، حداقل Rds در تاریخ) | 10V |
در انبار 484 pcs
| قیمت مرجع ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
|---|---|---|---|
| $2.82 | $2.76 | $2.71 |
حداقل: 1
درخواست نقل قول
فرم زیر را پر کنید و ما در اسرع وقت با شما تماس خواهیم گرفت
Bargain Finds
