Image is for reference only , details as Specifications

IPD30N06S2L23ATMA3

سازندگان: Infineon Technologies
دسته بندی محصولات: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
برگه داده ها: IPD30N06S2L23ATMA3
توضیحات: MOSFET N-CH 55V 30A TO252-3
وضعیت RoHS: سازگار با RoHS
ویژگی مقدار مشخصه
تولید کننده Infineon Technologies
دسته بندی محصولات Transistors - FETs, MOSFETs - Single
سری OptiMOS™
نوع FET N-Channel
بسته بندی Digi-Reel®
Vgs (حداکثر) ±20V
فن آوری MOSFET (Metal Oxide)
ویژگی های FET -
قسمت وضعیت Active
نوع نصب Surface Mount
بسته بندی/مورد TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Vgs (هفتم) (حداکثر) @ شناسه 2V @ 50µA
دمای عملیاتی -55°C ~ 175°C (TJ)
Rds در (حداکثر) @ Id ، Vgs 23mOhm @ 22A, 10V
استهلاک قدرت (حداکثر) 100W (Tc)
بسته بندی دستگاه تامین کننده PG-TO252-3-11
شارژ دروازه (Qg) (حداکثر) @ Vgs 42nC @ 10V
تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss) 55V
ظرفیت ورودی (Ciss) (حداکثر) @ Vds 1091pF @ 25V
جریان-تخلیه مداوم (شناسه) @ 25 ° c 30A (Tc)
ولتاژ درایو (حداکثر Rds در ، حداقل Rds در تاریخ) 4.5V, 10V

در انبار 2828 pcs

قیمت مرجع ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$0.00 $0.00 $0.00
حداقل: 1

درخواست نقل قول

فرم زیر را پر کنید و ما در اسرع وقت با شما تماس خواهیم گرفت

Bargain Finds

SIS476DN-T1-GE3
Vishay / Siliconix
$0
DN3135N8-G
Lanka Micro
$0
SPD18P06PGBTMA1
Infineon Technologies
$0
SIS862DN-T1-GE3
Vishay / Siliconix
$0
ZXMN0545G4TA
Diodes Incorporated
$0