تصویر فقط برای مرجع است ، مشخصات محصول را ببینید

IPC302N12N3X1SA1

سازندگان:	Infineon Technologies
دسته بندی محصولات:	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
برگه داده ها:	IPC302N12N3X1SA1
توضیحات:	MOSFET N-CH 120V 1A SAWN ON FOIL
وضعیت RoHS:	سازگار با RoHS

ویژگی	مقدار مشخصه
تولید کننده	Infineon Technologies
دسته بندی محصولات	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
سری	OptiMOS™
نوع FET	N-Channel
بسته بندی	Bulk
Vgs (حداکثر)	-
فن آوری	MOSFET (Metal Oxide)
ویژگی های FET	-
قسمت وضعیت	Active
نوع نصب	Surface Mount
بسته بندی/مورد	Die
Vgs (هفتم) (حداکثر) @ شناسه	4V @ 275µA
دمای عملیاتی	-
Rds در (حداکثر) @ Id ، Vgs	100mOhm @ 2A, 10V
استهلاک قدرت (حداکثر)	-
بسته بندی دستگاه تامین کننده	Sawn on foil
تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss)	120V
جریان-تخلیه مداوم (شناسه) @ 25 ° c	1A (Tj)
ولتاژ درایو (حداکثر Rds در ، حداقل Rds در تاریخ)	10V