تصویر فقط برای مرجع است ، مشخصات محصول را ببینید

IPB180N04S4LH0ATMA1

سازندگان:	Infineon Technologies
دسته بندی محصولات:	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
برگه داده ها:	IPB180N04S4LH0ATMA1
توضیحات:	MOSFET N-CH TO263-7
وضعیت RoHS:	سازگار با RoHS

ویژگی	مقدار مشخصه
تولید کننده	Infineon Technologies
دسته بندی محصولات	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
سری	Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
نوع FET	N-Channel
بسته بندی	Tape & Reel (TR)
Vgs (حداکثر)	+20V, -16V
فن آوری	MOSFET (Metal Oxide)
ویژگی های FET	-
قسمت وضعیت	Active
نوع نصب	Surface Mount
بسته بندی/مورد	TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)
Vgs (هفتم) (حداکثر) @ شناسه	2.2V @ 180µA
دمای عملیاتی	-55°C ~ 175°C (TJ)
Rds در (حداکثر) @ Id ، Vgs	1mOhm @ 100A, 10V
استهلاک قدرت (حداکثر)	250W (Tc)
بسته بندی دستگاه تامین کننده	PG-TO263-7-3
شارژ دروازه (Qg) (حداکثر) @ Vgs	310nC @ 10V
تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss)	40V
ظرفیت ورودی (Ciss) (حداکثر) @ Vds	24440pF @ 25V
جریان-تخلیه مداوم (شناسه) @ 25 ° c	180A (Tc)
ولتاژ درایو (حداکثر Rds در ، حداقل Rds در تاریخ)	4.5V, 10V