تصویر فقط برای مرجع است ، مشخصات محصول را ببینید

IPB120N06S4H1ATMA2

سازندگان:	Infineon Technologies
دسته بندی محصولات:	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
برگه داده ها:	IPB120N06S4H1ATMA2
توضیحات:	MOSFET N-CH 60V 120A TO263-3
وضعیت RoHS:	سازگار با RoHS

ویژگی	مقدار مشخصه
تولید کننده	Infineon Technologies
دسته بندی محصولات	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
سری	Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
نوع FET	N-Channel
بسته بندی	Tape & Reel (TR)
Vgs (حداکثر)	±20V
فن آوری	MOSFET (Metal Oxide)
ویژگی های FET	-
قسمت وضعیت	Active
نوع نصب	Surface Mount
بسته بندی/مورد	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Vgs (هفتم) (حداکثر) @ شناسه	4V @ 200µA
دمای عملیاتی	-55°C ~ 175°C (TJ)
Rds در (حداکثر) @ Id ، Vgs	2.4mOhm @ 100A, 10V
استهلاک قدرت (حداکثر)	250W (Tc)
بسته بندی دستگاه تامین کننده	PG-TO263-3-2
شارژ دروازه (Qg) (حداکثر) @ Vgs	270nC @ 10V
تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss)	60V
ظرفیت ورودی (Ciss) (حداکثر) @ Vds	21900pF @ 25V
جریان-تخلیه مداوم (شناسه) @ 25 ° c	120A (Tc)
ولتاژ درایو (حداکثر Rds در ، حداقل Rds در تاریخ)	10V