تصویر فقط برای مرجع است ، مشخصات محصول را ببینید

IMW120R350M1HXKSA1

سازندگان:	Infineon Technologies
دسته بندی محصولات:	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
برگه داده ها:	IMW120R350M1HXKSA1
توضیحات:	COOLSIC MOSFETS 1200V
وضعیت RoHS:	سازگار با RoHS

ویژگی	مقدار مشخصه
تولید کننده	Infineon Technologies
دسته بندی محصولات	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
سری	CoolSiC™
نوع FET	N-Channel
Vgs (حداکثر)	+23V, -7V
فن آوری	SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
ویژگی های FET	-
قسمت وضعیت	Active
نوع نصب	Through Hole
بسته بندی/مورد	TO-247-3
Vgs (هفتم) (حداکثر) @ شناسه	5.7V @ 1mA
دمای عملیاتی	-55°C ~ 175°C (TJ)
Rds در (حداکثر) @ Id ، Vgs	455mOhm @ 2A, 18V
استهلاک قدرت (حداکثر)	60W (Tc)
بسته بندی دستگاه تامین کننده	PG-TO247-3-41
شارژ دروازه (Qg) (حداکثر) @ Vgs	5.3nC @ 18V
تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss)	1.2kV
ظرفیت ورودی (Ciss) (حداکثر) @ Vds	182pF @ 800V
جریان-تخلیه مداوم (شناسه) @ 25 ° c	4.7A (Tc)
ولتاژ درایو (حداکثر Rds در ، حداقل Rds در تاریخ)	15V, 18V