تصویر فقط برای مرجع است ، مشخصات محصول را ببینید

IGT60R070D1ATMA1

سازندگان:	Infineon Technologies
دسته بندی محصولات:	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
برگه داده ها:	IGT60R070D1ATMA1
توضیحات:	IC GAN FET 600V 60A 8HSOF
وضعیت RoHS:	سازگار با RoHS

ویژگی	مقدار مشخصه
تولید کننده	Infineon Technologies
دسته بندی محصولات	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
سری	CoolGaN™
نوع FET	N-Channel
بسته بندی	Digi-Reel®
Vgs (حداکثر)	-10V
فن آوری	GaNFET (Gallium Nitride)
ویژگی های FET	-
قسمت وضعیت	Active
نوع نصب	Surface Mount
بسته بندی/مورد	8-PowerSFN
Vgs (هفتم) (حداکثر) @ شناسه	1.6V @ 2.6mA
دمای عملیاتی	-55°C ~ 150°C (TJ)
Rds در (حداکثر) @ Id ، Vgs	-
استهلاک قدرت (حداکثر)	125W (Tc)
بسته بندی دستگاه تامین کننده	PG-HSOF-8-3
تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss)	600V
ظرفیت ورودی (Ciss) (حداکثر) @ Vds	380pF @ 400V
جریان-تخلیه مداوم (شناسه) @ 25 ° c	31A (Tc)
ولتاژ درایو (حداکثر Rds در ، حداقل Rds در تاریخ)	-