تصویر فقط برای مرجع است ، مشخصات محصول را ببینید

FF8MR12W2M1B11BOMA1

سازندگان:	Infineon Technologies
دسته بندی محصولات:	Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
برگه داده ها:	FF8MR12W2M1B11BOMA1
توضیحات:	MOSFET MODULE 1200V 150A
وضعیت RoHS:	سازگار با RoHS

ویژگی	مقدار مشخصه
تولید کننده	Infineon Technologies
دسته بندی محصولات	Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
سری	CoolSiC™+
نوع FET	2 N-Channel (Dual)
ویژگی های FET	Silicon Carbide (SiC)
قسمت وضعیت	Active
قدرت حداکثر	20mW (Tc)
نوع نصب	Chassis Mount
بسته بندی/مورد	Module
Vgs (هفتم) (حداکثر) @ شناسه	5.55V @ 60mA
دمای عملیاتی	-40°C ~ 150°C (TJ)
Rds در (حداکثر) @ Id ، Vgs	7.5mOhm @ 150A, 15V (Typ)
بسته بندی دستگاه تامین کننده	AG-EASY2BM-2
شارژ دروازه (Qg) (حداکثر) @ Vgs	372nC @ 15V
تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss)	1200V
ظرفیت ورودی (Ciss) (حداکثر) @ Vds	11000pF @ 800V
جریان-تخلیه مداوم (شناسه) @ 25 ° c	150A (Tj)