Image is for reference only , details as Specifications

DF200R12W1H3B27BOMA1

سازندگان: Infineon Technologies
دسته بندی محصولات: Transistors - IGBTs - Modules
برگه داده ها: DF200R12W1H3B27BOMA1
توضیحات: IGBT MODULE VCES 1200V 200A
وضعیت RoHS: سازگار با RoHS
ویژگی مقدار مشخصه
تولید کننده Infineon Technologies
دسته بندی محصولات Transistors - IGBTs - Modules
ورودی Standard
سری -
نوع IGBT -
قسمت وضعیت Active
قدرت حداکثر 375W
پیکربندی 2 Independent
نوع نصب Chassis Mount
NTC Thermistor Yes
بسته بندی/مورد Module
دمای عملیاتی -40°C ~ 150°C
بسته بندی دستگاه تامین کننده Module
Vce (در) (حداکثر) @ Vce ، Ic 1.3V @ 15V, 30A
جریان-کلکتور (آیسی) (حداکثر) 30A
ظرفیت ورودی (Cies) @ Vce 2nF @ 25V
جریان-برش گردآورنده (حداکثر) 1mA
ولتاژ جمع آوری تجزیه امیتر (حداکثر) 1200V

در انبار 53 pcs

قیمت مرجع ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$50.67 $49.66 $48.66
حداقل: 1

درخواست نقل قول

فرم زیر را پر کنید و ما در اسرع وقت با شما تماس خواهیم گرفت

Bargain Finds

MWI45-12T6K
IXYS
$49.52
VS-100MT060WSP
Vishay / Semiconductor - Diodes Division
$49.41
F475R07W1H3B11ABOMA1
Infineon Technologies
$49.15
FS50R12W2T4B11BOMA1
Infineon Technologies
$49.03
MKI80-06T6K
IXYS
$48.96