Image is for reference only , details as Specifications

BUZ32 H

سازندگان:	Infineon Technologies
دسته بندی محصولات:	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
برگه داده ها:	BUZ32 H
توضیحات:	MOSFET N-CH 200V 9.5A TO220-3
وضعیت RoHS:	سازگار با RoHS

ویژگی	مقدار مشخصه
تولید کننده	Infineon Technologies
دسته بندی محصولات	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
سری	SIPMOS®
نوع FET	N-Channel
بسته بندی	Tube
Vgs (حداکثر)	±20V
فن آوری	MOSFET (Metal Oxide)
ویژگی های FET	-
قسمت وضعیت	Obsolete
نوع نصب	Through Hole
بسته بندی/مورد	TO-220-3
Vgs (هفتم) (حداکثر) @ شناسه	4V @ 1mA
دمای عملیاتی	-55°C ~ 150°C (TJ)
Rds در (حداکثر) @ Id ، Vgs	400mOhm @ 6A, 10V
استهلاک قدرت (حداکثر)	75W (Tc)
بسته بندی دستگاه تامین کننده	PG-TO220-3
تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss)	200V
ظرفیت ورودی (Ciss) (حداکثر) @ Vds	530pF @ 25V
جریان-تخلیه مداوم (شناسه) @ 25 ° c	9.5A (Tc)
ولتاژ درایو (حداکثر Rds در ، حداقل Rds در تاریخ)	10V