تصویر فقط برای مرجع است ، مشخصات محصول را ببینید

BSZ0910NDXTMA1

سازندگان:	Infineon Technologies
دسته بندی محصولات:	Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
برگه داده ها:	BSZ0910NDXTMA1
توضیحات:	DIFFERENTIATED MOSFETS
وضعیت RoHS:	سازگار با RoHS

ویژگی	مقدار مشخصه
تولید کننده	Infineon Technologies
دسته بندی محصولات	Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
سری	OptiMOS™
نوع FET	2 N-Channel (Dual)
بسته بندی	Digi-Reel®
ویژگی های FET	Logic Level Gate, 4.5V Drive
قسمت وضعیت	Active
قدرت حداکثر	1.9W (Ta), 31W (Tc)
نوع نصب	Surface Mount
بسته بندی/مورد	8-PowerVDFN
Vgs (هفتم) (حداکثر) @ شناسه	2V @ 250µA
دمای عملیاتی	-55°C ~ 150°C (TJ)
Rds در (حداکثر) @ Id ، Vgs	9.5mOhm @ 9A, 10V
بسته بندی دستگاه تامین کننده	PG-WISON-8
شارژ دروازه (Qg) (حداکثر) @ Vgs	5.6nC @ 4.5V
تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss)	30V
ظرفیت ورودی (Ciss) (حداکثر) @ Vds	800pF @ 15V
جریان-تخلیه مداوم (شناسه) @ 25 ° c	9.5A (Ta), 25A (Tc)