Image is for reference only , details as Specifications
BSP149 E6327
| سازندگان: | Infineon Technologies |
|---|---|
| دسته بندی محصولات: | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
| برگه داده ها: | BSP149 E6327 |
| توضیحات: | MOSFET N-CH 200V 660MA SOT-223 |
| وضعیت RoHS: | سازگار با RoHS |
| ویژگی | مقدار مشخصه |
|---|---|
| تولید کننده | Infineon Technologies |
| دسته بندی محصولات | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
| سری | SIPMOS® |
| نوع FET | N-Channel |
| بسته بندی | Tape & Reel (TR) |
| Vgs (حداکثر) | ±20V |
| فن آوری | MOSFET (Metal Oxide) |
| ویژگی های FET | Depletion Mode |
| قسمت وضعیت | Obsolete |
| نوع نصب | Surface Mount |
| بسته بندی/مورد | TO-261-4, TO-261AA |
| Vgs (هفتم) (حداکثر) @ شناسه | 1V @ 400µA |
| دمای عملیاتی | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Rds در (حداکثر) @ Id ، Vgs | 1.8Ohm @ 660mA, 10V |
| استهلاک قدرت (حداکثر) | 1.8W (Ta) |
| بسته بندی دستگاه تامین کننده | PG-SOT223-4 |
| شارژ دروازه (Qg) (حداکثر) @ Vgs | 14nC @ 5V |
| تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss) | 200V |
| ظرفیت ورودی (Ciss) (حداکثر) @ Vds | 430pF @ 25V |
| جریان-تخلیه مداوم (شناسه) @ 25 ° c | 660mA (Ta) |
| ولتاژ درایو (حداکثر Rds در ، حداقل Rds در تاریخ) | 0V, 10V |
در انبار 80 pcs
| قیمت مرجع ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
|---|---|---|---|
| $0.00 | $0.00 | $0.00 |
حداقل: 1
درخواست نقل قول
فرم زیر را پر کنید و ما در اسرع وقت با شما تماس خواهیم گرفت
Bargain Finds