تصویر فقط برای مرجع است ، مشخصات محصول را ببینید

BSG0813NDIATMA1

سازندگان:	Infineon Technologies
دسته بندی محصولات:	Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
برگه داده ها:	BSG0813NDIATMA1
توضیحات:	MOSFET 2N-CH 25V 19A/33A 8TISON
وضعیت RoHS:	سازگار با RoHS

ویژگی	مقدار مشخصه
تولید کننده	Infineon Technologies
دسته بندی محصولات	Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
سری	-
نوع FET	2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
بسته بندی	Tape & Reel (TR)
ویژگی های FET	Logic Level Gate, 4.5V Drive
قسمت وضعیت	Active
قدرت حداکثر	2.5W
نوع نصب	Surface Mount
بسته بندی/مورد	8-PowerTDFN
Vgs (هفتم) (حداکثر) @ شناسه	2V @ 250µA
دمای عملیاتی	-55°C ~ 155°C (TJ)
Rds در (حداکثر) @ Id ، Vgs	3mOhm @ 20A, 10V
بسته بندی دستگاه تامین کننده	PG-TISON-8
شارژ دروازه (Qg) (حداکثر) @ Vgs	8.4nC @ 4.5V
تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss)	25V
ظرفیت ورودی (Ciss) (حداکثر) @ Vds	1100pF @ 12V
جریان-تخلیه مداوم (شناسه) @ 25 ° c	19A, 33A