تصویر فقط برای مرجع است ، مشخصات محصول را ببینید

BSC028N06NSTATMA1

سازندگان:	Infineon Technologies
دسته بندی محصولات:	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
برگه داده ها:	BSC028N06NSTATMA1
توضیحات:	DIFFERENTIATED MOSFETS
وضعیت RoHS:	سازگار با RoHS

ویژگی	مقدار مشخصه
تولید کننده	Infineon Technologies
دسته بندی محصولات	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
سری	OptiMOS™
نوع FET	N-Channel
بسته بندی	Cut Tape (CT)
Vgs (حداکثر)	±20V
فن آوری	MOSFET (Metal Oxide)
ویژگی های FET	-
قسمت وضعیت	Active
نوع نصب	Surface Mount
بسته بندی/مورد	8-PowerTDFN
Vgs (هفتم) (حداکثر) @ شناسه	3.3V @ 50µA
دمای عملیاتی	-55°C ~ 175°C (TJ)
Rds در (حداکثر) @ Id ، Vgs	2.8mOhm @ 50A, 10V
استهلاک قدرت (حداکثر)	3W (Ta), 100W (Tc)
بسته بندی دستگاه تامین کننده	PG-TDSON-8-7
شارژ دروازه (Qg) (حداکثر) @ Vgs	49nC @ 10V
تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss)	60V
ظرفیت ورودی (Ciss) (حداکثر) @ Vds	3375pF @ 30V
جریان-تخلیه مداوم (شناسه) @ 25 ° c	24A (Ta), 100A (Tc)
ولتاژ درایو (حداکثر Rds در ، حداقل Rds در تاریخ)	6V, 10V