تصویر فقط برای مرجع است ، مشخصات محصول را ببینید

IXFN82N60Q3

سازندگان:	IXYS
دسته بندی محصولات:	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
برگه داده ها:	IXFN82N60Q3
توضیحات:	MOSFET N-CH 600V 66A SOT-227
وضعیت RoHS:	سازگار با RoHS

ویژگی	مقدار مشخصه
تولید کننده	IXYS
دسته بندی محصولات	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
سری	HiPerFET™
نوع FET	N-Channel
بسته بندی	Tube
Vgs (حداکثر)	±30V
فن آوری	MOSFET (Metal Oxide)
ویژگی های FET	-
قسمت وضعیت	Active
نوع نصب	Chassis Mount
بسته بندی/مورد	SOT-227-4, miniBLOC
Vgs (هفتم) (حداکثر) @ شناسه	6.5V @ 8mA
دمای عملیاتی	-55°C ~ 150°C (TJ)
Rds در (حداکثر) @ Id ، Vgs	75mOhm @ 41A, 10V
استهلاک قدرت (حداکثر)	960W (Tc)
بسته بندی دستگاه تامین کننده	SOT-227B
شارژ دروازه (Qg) (حداکثر) @ Vgs	275nC @ 10V
تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss)	600V
ظرفیت ورودی (Ciss) (حداکثر) @ Vds	13500pF @ 25V
جریان-تخلیه مداوم (شناسه) @ 25 ° c	66A (Tc)
ولتاژ درایو (حداکثر Rds در ، حداقل Rds در تاریخ)	10V