تصویر فقط برای مرجع است ، مشخصات محصول را ببینید

IXFN120N65X2

سازندگان:	IXYS
دسته بندی محصولات:	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
برگه داده ها:	IXFN120N65X2
توضیحات:	MOSFET N-CH 650V 108A SOT-227
وضعیت RoHS:	سازگار با RoHS

ویژگی	مقدار مشخصه
تولید کننده	IXYS
دسته بندی محصولات	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
سری	HiPerFET™
نوع FET	N-Channel
بسته بندی	Tube
Vgs (حداکثر)	±30V
فن آوری	MOSFET (Metal Oxide)
ویژگی های FET	-
قسمت وضعیت	Active
نوع نصب	Chassis Mount
بسته بندی/مورد	SOT-227-4, miniBLOC
Vgs (هفتم) (حداکثر) @ شناسه	5.5V @ 8mA
دمای عملیاتی	-55°C ~ 150°C (TJ)
Rds در (حداکثر) @ Id ، Vgs	24mOhm @ 54A, 10V
استهلاک قدرت (حداکثر)	890W (Tc)
بسته بندی دستگاه تامین کننده	SOT-227B
شارژ دروازه (Qg) (حداکثر) @ Vgs	225nC @ 10V
تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss)	650V
ظرفیت ورودی (Ciss) (حداکثر) @ Vds	15500pF @ 25V
جریان-تخلیه مداوم (شناسه) @ 25 ° c	108A (Tc)
ولتاژ درایو (حداکثر Rds در ، حداقل Rds در تاریخ)	10V