Image is for reference only , details as Specifications

IXFH60N65X2

سازندگان:	IXYS
دسته بندی محصولات:	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
برگه داده ها:	IXFH60N65X2
توضیحات:	MOSFET N-CH 650V 60A TO-247
وضعیت RoHS:	سازگار با RoHS

ویژگی	مقدار مشخصه
تولید کننده	IXYS
دسته بندی محصولات	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
سری	HiPerFET™
نوع FET	N-Channel
بسته بندی	Tube
Vgs (حداکثر)	±30V
فن آوری	MOSFET (Metal Oxide)
ویژگی های FET	-
قسمت وضعیت	Active
نوع نصب	Through Hole
بسته بندی/مورد	TO-247-3
Vgs (هفتم) (حداکثر) @ شناسه	5.5V @ 4mA
دمای عملیاتی	-55°C ~ 150°C (TJ)
Rds در (حداکثر) @ Id ، Vgs	52mOhm @ 30A, 10V
استهلاک قدرت (حداکثر)	780W (Tc)
شارژ دروازه (Qg) (حداکثر) @ Vgs	107nC @ 10V
تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss)	650V
ظرفیت ورودی (Ciss) (حداکثر) @ Vds	6180pF @ 25V
جریان-تخلیه مداوم (شناسه) @ 25 ° c	60A (Tc)
ولتاژ درایو (حداکثر Rds در ، حداقل Rds در تاریخ)	10V