Image is for reference only , details as Specifications

IXFT6N100F

سازندگان:	IXYS-RF
دسته بندی محصولات:	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
برگه داده ها:	IXFT6N100F
توضیحات:	MOSFET N-CH 1000V 6A TO268
وضعیت RoHS:	سازگار با RoHS

ویژگی	مقدار مشخصه
تولید کننده	IXYS-RF
دسته بندی محصولات	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
سری	HiPerRF™
نوع FET	N-Channel
بسته بندی	Tube
Vgs (حداکثر)	±20V
فن آوری	MOSFET (Metal Oxide)
ویژگی های FET	-
قسمت وضعیت	Active
نوع نصب	Surface Mount
بسته بندی/مورد	TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
Vgs (هفتم) (حداکثر) @ شناسه	5.5V @ 2.5mA
دمای عملیاتی	-55°C ~ 150°C (TJ)
Rds در (حداکثر) @ Id ، Vgs	1.9Ohm @ 3A, 10V
استهلاک قدرت (حداکثر)	180W (Tc)
بسته بندی دستگاه تامین کننده	TO-268 (IXFT)
شارژ دروازه (Qg) (حداکثر) @ Vgs	54nC @ 10V
تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss)	1000V
ظرفیت ورودی (Ciss) (حداکثر) @ Vds	1770pF @ 25V
جریان-تخلیه مداوم (شناسه) @ 25 ° c	6A (Tc)
ولتاژ درایو (حداکثر Rds در ، حداقل Rds در تاریخ)	10V