تصویر فقط برای مرجع است ، مشخصات محصول را ببینید

GA10SICP12-263

سازندگان:	GeneSiC Semiconductor
دسته بندی محصولات:	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
برگه داده ها:	GA10SICP12-263
توضیحات:	TRANS SJT 1200V 25A TO263-7
وضعیت RoHS:	سازگار با RoHS

ویژگی	مقدار مشخصه
تولید کننده	GeneSiC Semiconductor
دسته بندی محصولات	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
سری	-
نوع FET	-
بسته بندی	Tube
Vgs (حداکثر)	-
فن آوری	SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
ویژگی های FET	-
قسمت وضعیت	Active
نوع نصب	Surface Mount
بسته بندی/مورد	TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA
Vgs (هفتم) (حداکثر) @ شناسه	-
دمای عملیاتی	175°C (TJ)
Rds در (حداکثر) @ Id ، Vgs	100mOhm @ 10A
استهلاک قدرت (حداکثر)	170W (Tc)
بسته بندی دستگاه تامین کننده	D2PAK (7-Lead)
تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss)	1200V
ظرفیت ورودی (Ciss) (حداکثر) @ Vds	1403pF @ 800V
جریان-تخلیه مداوم (شناسه) @ 25 ° c	25A (Tc)
ولتاژ درایو (حداکثر Rds در ، حداقل Rds در تاریخ)	-