تصویر فقط برای مرجع است ، مشخصات محصول را ببینید

EPC2106ENGRT

سازندگان:	EPC
دسته بندی محصولات:	Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
برگه داده ها:	EPC2106ENGRT
توضیحات:	GAN TRANS 2N-CH 100V BUMPED DIE
وضعیت RoHS:	سازگار با RoHS

ویژگی	مقدار مشخصه
تولید کننده	EPC
دسته بندی محصولات	Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
سری	eGaN®
نوع FET	2 N-Channel (Half Bridge)
بسته بندی	Digi-Reel®
ویژگی های FET	GaNFET (Gallium Nitride)
قسمت وضعیت	Active
قدرت حداکثر	-
نوع نصب	Surface Mount
بسته بندی/مورد	Die
Vgs (هفتم) (حداکثر) @ شناسه	2.5V @ 600µA
دمای عملیاتی	-40°C ~ 150°C (TJ)
Rds در (حداکثر) @ Id ، Vgs	70mOhm @ 2A, 5V
بسته بندی دستگاه تامین کننده	Die
شارژ دروازه (Qg) (حداکثر) @ Vgs	0.73nC @ 5V
تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss)	100V
ظرفیت ورودی (Ciss) (حداکثر) @ Vds	75pF @ 50V
جریان-تخلیه مداوم (شناسه) @ 25 ° c	1.7A