Image is for reference only , details as Specifications

EPC2106ENGRT

سازندگان: EPC
دسته بندی محصولات: Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
برگه داده ها: EPC2106ENGRT
توضیحات: GAN TRANS 2N-CH 100V BUMPED DIE
وضعیت RoHS: سازگار با RoHS
ویژگی مقدار مشخصه
تولید کننده EPC
دسته بندی محصولات Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
سری eGaN®
نوع FET 2 N-Channel (Half Bridge)
بسته بندی Digi-Reel®
ویژگی های FET GaNFET (Gallium Nitride)
قسمت وضعیت Active
قدرت حداکثر -
نوع نصب Surface Mount
بسته بندی/مورد Die
Vgs (هفتم) (حداکثر) @ شناسه 2.5V @ 600µA
دمای عملیاتی -40°C ~ 150°C (TJ)
Rds در (حداکثر) @ Id ، Vgs 70mOhm @ 2A, 5V
بسته بندی دستگاه تامین کننده Die
شارژ دروازه (Qg) (حداکثر) @ Vgs 0.73nC @ 5V
تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss) 100V
ظرفیت ورودی (Ciss) (حداکثر) @ Vds 75pF @ 50V
جریان-تخلیه مداوم (شناسه) @ 25 ° c 1.7A

در انبار 9587 pcs

قیمت مرجع ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$0.00 $0.00 $0.00
حداقل: 1

درخواست نقل قول

فرم زیر را پر کنید و ما در اسرع وقت با شما تماس خواهیم گرفت

Bargain Finds

SIZ926DT-T1-GE3
Vishay / Siliconix
$0
QS8M51TR
ROHM Semiconductor
$0
TSM4925DCS RLG
Taiwan Semiconductor Corporation
$0
SI7972DP-T1-GE3
Vishay / Siliconix
$0
SH8M3TB1
ROHM Semiconductor
$0