EPC2037
سازندگان: | EPC |
---|---|
دسته بندی محصولات: | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
برگه داده ها: | EPC2037 |
توضیحات: | GAN TRANS 100V 550MOHM BUMPED DI |
وضعیت RoHS: | سازگار با RoHS |
ویژگی | مقدار مشخصه |
---|---|
تولید کننده | EPC |
دسته بندی محصولات | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
سری | eGaN® |
نوع FET | N-Channel |
بسته بندی | Digi-Reel® |
Vgs (حداکثر) | +6V, -4V |
فن آوری | GaNFET (Gallium Nitride) |
ویژگی های FET | - |
قسمت وضعیت | Active |
نوع نصب | Surface Mount |
بسته بندی/مورد | Die |
Vgs (هفتم) (حداکثر) @ شناسه | 2.5V @ 80µA |
دمای عملیاتی | -40°C ~ 150°C (TJ) |
Rds در (حداکثر) @ Id ، Vgs | 550mOhm @ 100mA, 5V |
استهلاک قدرت (حداکثر) | - |
بسته بندی دستگاه تامین کننده | Die |
شارژ دروازه (Qg) (حداکثر) @ Vgs | 0.12nC @ 5V |
تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss) | 100V |
ظرفیت ورودی (Ciss) (حداکثر) @ Vds | 14pF @ 50V |
جریان-تخلیه مداوم (شناسه) @ 25 ° c | 1.7A (Ta) |
ولتاژ درایو (حداکثر Rds در ، حداقل Rds در تاریخ) | 5V |