Image is for reference only , details as Specifications

EPC2022

سازندگان:	EPC
دسته بندی محصولات:	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
برگه داده ها:	EPC2022
توضیحات:	GAN TRANS 100V 3MOHM BUMPED DIE
وضعیت RoHS:	سازگار با RoHS

ویژگی	مقدار مشخصه
تولید کننده	EPC
دسته بندی محصولات	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
سری	eGaN®
نوع FET	N-Channel
بسته بندی	Digi-Reel®
Vgs (حداکثر)	+6V, -4V
فن آوری	GaNFET (Gallium Nitride)
ویژگی های FET	-
قسمت وضعیت	Active
نوع نصب	Surface Mount
بسته بندی/مورد	Die
Vgs (هفتم) (حداکثر) @ شناسه	2.5V @ 12mA
دمای عملیاتی	-40°C ~ 150°C (TJ)
Rds در (حداکثر) @ Id ، Vgs	3.2mOhm @ 25A, 5V
استهلاک قدرت (حداکثر)	-
بسته بندی دستگاه تامین کننده	Die
تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss)	100V
ظرفیت ورودی (Ciss) (حداکثر) @ Vds	1500pF @ 50V
جریان-تخلیه مداوم (شناسه) @ 25 ° c	60A (Ta)
ولتاژ درایو (حداکثر Rds در ، حداقل Rds در تاریخ)	5V