Image is for reference only , details as Specifications

EPC2016C

سازندگان:	EPC
دسته بندی محصولات:	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
برگه داده ها:	EPC2016C
توضیحات:	GANFET TRANS 100V 18A BUMPED DIE
وضعیت RoHS:	سازگار با RoHS

ویژگی	مقدار مشخصه
تولید کننده	EPC
دسته بندی محصولات	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
سری	eGaN®
نوع FET	N-Channel
بسته بندی	Tape & Reel (TR)
Vgs (حداکثر)	+6V, -4V
فن آوری	GaNFET (Gallium Nitride)
ویژگی های FET	-
قسمت وضعیت	Active
نوع نصب	Surface Mount
بسته بندی/مورد	Die
Vgs (هفتم) (حداکثر) @ شناسه	2.5V @ 3mA
دمای عملیاتی	-40°C ~ 150°C (TJ)
Rds در (حداکثر) @ Id ، Vgs	16mOhm @ 11A, 5V
استهلاک قدرت (حداکثر)	-
بسته بندی دستگاه تامین کننده	Die
شارژ دروازه (Qg) (حداکثر) @ Vgs	4.5nC @ 5V
تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss)	100V
ظرفیت ورودی (Ciss) (حداکثر) @ Vds	420pF @ 50V
جریان-تخلیه مداوم (شناسه) @ 25 ° c	18A (Ta)
ولتاژ درایو (حداکثر Rds در ، حداقل Rds در تاریخ)	5V