Image is for reference only , details as Specifications

EPC2012C

سازندگان:	EPC
دسته بندی محصولات:	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
برگه داده ها:	EPC2012C
توضیحات:	GANFET TRANS 200V 5A BUMPED DIE
وضعیت RoHS:	سازگار با RoHS

ویژگی	مقدار مشخصه
تولید کننده	EPC
دسته بندی محصولات	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
سری	eGaN®
نوع FET	N-Channel
بسته بندی	Digi-Reel®
Vgs (حداکثر)	+6V, -4V
فن آوری	GaNFET (Gallium Nitride)
ویژگی های FET	-
قسمت وضعیت	Active
نوع نصب	Surface Mount
بسته بندی/مورد	Die
Vgs (هفتم) (حداکثر) @ شناسه	2.5V @ 1mA
دمای عملیاتی	-40°C ~ 150°C (TJ)
Rds در (حداکثر) @ Id ، Vgs	100mOhm @ 3A, 5V
استهلاک قدرت (حداکثر)	-
بسته بندی دستگاه تامین کننده	Die Outline (4-Solder Bar)
شارژ دروازه (Qg) (حداکثر) @ Vgs	1.3nC @ 5V
تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss)	200V
ظرفیت ورودی (Ciss) (حداکثر) @ Vds	140pF @ 100V
جریان-تخلیه مداوم (شناسه) @ 25 ° c	5A (Ta)
ولتاژ درایو (حداکثر Rds در ، حداقل Rds در تاریخ)	5V