تصویر فقط برای مرجع است ، مشخصات محصول را ببینید

EPC2012

سازندگان:	EPC
دسته بندی محصولات:	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
برگه داده ها:	EPC2012
توضیحات:	GANFET TRANS 200V 3A BUMPED DIE
وضعیت RoHS:	سازگار با RoHS

ویژگی	مقدار مشخصه
تولید کننده	EPC
دسته بندی محصولات	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
سری	eGaN®
نوع FET	N-Channel
بسته بندی	Cut Tape (CT)
Vgs (حداکثر)	+6V, -5V
فن آوری	GaNFET (Gallium Nitride)
ویژگی های FET	-
قسمت وضعیت	Discontinued at Digi-Key
نوع نصب	Surface Mount
بسته بندی/مورد	Die
Vgs (هفتم) (حداکثر) @ شناسه	2.5V @ 1mA
دمای عملیاتی	-40°C ~ 125°C (TJ)
Rds در (حداکثر) @ Id ، Vgs	100mOhm @ 3A, 5V
استهلاک قدرت (حداکثر)	-
بسته بندی دستگاه تامین کننده	Die
شارژ دروازه (Qg) (حداکثر) @ Vgs	1.8nC @ 5V
تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss)	200V
ظرفیت ورودی (Ciss) (حداکثر) @ Vds	145pF @ 100V
جریان-تخلیه مداوم (شناسه) @ 25 ° c	3A (Ta)
ولتاژ درایو (حداکثر Rds در ، حداقل Rds در تاریخ)	5V