تصویر فقط برای مرجع است ، مشخصات محصول را ببینید

HBDM60V600W-7

سازندگان:	Diodes Incorporated
دسته بندی محصولات:	Transistors - Bipolar (BJT) - Arrays
برگه داده ها:	HBDM60V600W-7
توضیحات:	TRANS NPN/PNP 65V/60V SOT363
وضعیت RoHS:	سازگار با RoHS

ویژگی	مقدار مشخصه
تولید کننده	Diodes Incorporated
دسته بندی محصولات	Transistors - Bipolar (BJT) - Arrays
سری	-
بسته بندی	Digi-Reel®
قسمت وضعیت	Active
قدرت حداکثر	200mW
نوع نصب	Surface Mount
بسته بندی/مورد	6-TSSOP, SC-88, SOT-363
نوع ترانزیستور	NPN, PNP
شماره قسمت پایه	HBDM60V600
دمای عملیاتی	-55°C ~ 150°C (TJ)
انتقال فرکانس	100MHz
بسته بندی دستگاه تامین کننده	SOT-363
اشباع vce (حداکثر) @ Ib ، Ic	400mV @ 10mA, 100mA / 500mV @ 50mA, 500mA
جریان-کلکتور (آیسی) (حداکثر)	500mA, 600mA
جریان-برش گردآورنده (حداکثر)	100nA
DC به دست آوردن جریان (hFE) (حداقل) @ Ic ، Vce	100 @ 100mA, 1V / 100 @ 150mA, 10V
ولتاژ جمع آوری تجزیه امیتر (حداکثر)	65V, 60V