تصویر فقط برای مرجع است ، مشخصات محصول را ببینید

DRDNB26W-7

سازندگان:	Diodes Incorporated
دسته بندی محصولات:	Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased
برگه داده ها:	DRDNB26W-7
توضیحات:	TRANS PREBIAS NPN/DIODE SOT363
وضعیت RoHS:	سازگار با RoHS

ویژگی	مقدار مشخصه
تولید کننده	Diodes Incorporated
دسته بندی محصولات	Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased
سری	-
بسته بندی	Digi-Reel®
قسمت وضعیت	Obsolete
قدرت حداکثر	200mW
نوع نصب	Surface Mount
بسته بندی/مورد	6-TSSOP, SC-88, SOT-363
نوع ترانزیستور	NPN - Pre-Biased + Diode
شماره قسمت پایه	DRDNB26
مقاومت پایه (R1)	220 Ohms
انتقال فرکانس	200MHz
بسته بندی دستگاه تامین کننده	SOT-363
مقاومت-پایه امیتر (R2)	4.7 kOhms
اشباع vce (حداکثر) @ Ib ، Ic	300mV @ 2.5mA, 50mA
جریان-کلکتور (آیسی) (حداکثر)	600mA
جریان-برش گردآورنده (حداکثر)	500nA
DC به دست آوردن جریان (hFE) (حداقل) @ Ic ، Vce	47 @ 50mA, 5V
ولتاژ جمع آوری تجزیه امیتر (حداکثر)	50V