تصویر فقط برای مرجع است ، مشخصات محصول را ببینید

DMN63D8LDW-13

سازندگان:	Diodes Incorporated
دسته بندی محصولات:	Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
برگه داده ها:	DMN63D8LDW-13
توضیحات:	MOSFET 2N-CH 30V 0.22A SOT363
وضعیت RoHS:	سازگار با RoHS

ویژگی	مقدار مشخصه
تولید کننده	Diodes Incorporated
دسته بندی محصولات	Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
سری	-
نوع FET	2 N-Channel (Dual)
بسته بندی	Tape & Reel (TR)
ویژگی های FET	Logic Level Gate
قسمت وضعیت	Active
قدرت حداکثر	300mW
نوع نصب	Surface Mount
بسته بندی/مورد	6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Vgs (هفتم) (حداکثر) @ شناسه	1.5V @ 250µA
دمای عملیاتی	-55°C ~ 150°C (TJ)
Rds در (حداکثر) @ Id ، Vgs	2.8Ohm @ 250mA, 10V
بسته بندی دستگاه تامین کننده	SOT-363
شارژ دروازه (Qg) (حداکثر) @ Vgs	870nC @ 10V
تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss)	30V
ظرفیت ورودی (Ciss) (حداکثر) @ Vds	22pF @ 25V
جریان-تخلیه مداوم (شناسه) @ 25 ° c	220mA